По време на конференция в Станфорд, Micron показа прототип на ултра-скоростна оперативна памет с името HMC (Hybrid Memory Cube) DRAM. Паметта използва технология, подобна на тази при триизмерните процесори, която работи с вертикално подредени чипове, за да постигне по-висока скорост на операциите, съобщиха от TechRadar.com.

Средната скорост на HMC е 128GBps - десет пъти по-бързо от рекорда за бързина на операциите при най-качествената DDR3 памет -12,8GBps. Според производителя, новото устройство може да достигне без проблем 160GBps и може да обработва до 3,2 млрд. операции в секунда.

 HMC се отличава не само с високата скорост, но и с много нисък разход на енергия. Паметта има нужда само от 10% от енергията на стандартните модули DDR3. Също така, модулът е значително по-малък, като се нуждае от 90% по-малко място от стандартните памети, което го прави много подходящ за употреба при мобилни устройства.